【摘 要】
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纳米级晶体可作电致发光材料ａｒｕｃｔｕｒｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ公司用低蒸汽压ＣＶＤ在硅片上沉积１μｍ厚的富硅ＳｉＯ２薄膜，经热处理沉淀出多余的硅，用此法制造了颗粒度为１～５ｎｍ的晶体，电接触是用探针触及已沉积好的钢锡氧化物触点（直径
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纳米级晶体可作电致发光材料ａｒｕｃｔｕｒｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ公司用低蒸汽压ＣＶＤ在硅片上沉积１μｍ厚的富硅ＳｉＯ２薄膜，经热处理沉淀出多余的硅，用此法制造了颗粒度为１～５ｎｍ的晶体，电接触是用探针触及已沉积好的钢锡氧化物触点（直径３～９ｍｍ），即使...
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