【摘 要】
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采用磁控共溅射沉积法,以Si靶和SiC靶为靶材,单晶Si（100）和石英为衬底,在不同衬底温度下沉积了富硅SiCx薄膜。在氮气氛下于1100℃退火,得到包含硅量子点的SiCx薄膜。采用傅立叶
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所,四川文理学院物理与机电工程学院
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采用磁控共溅射沉积法,以Si靶和SiC靶为靶材,单晶Si（100）和石英为衬底,在不同衬底温度下沉积了富硅SiCx薄膜。在氮气氛下于1100℃退火,得到包含硅量子点的SiCx薄膜。采用傅立叶变换红外吸收光谱、拉曼光谱、掠入射X射线衍射和吸收谱对退火后的SiCx薄膜进行了表征。结果表明：当衬底温度从室温（25℃）升至300℃时,薄膜的晶化率增至71.3%,硅量子点尺寸增至8.9 nm,而光学带隙则减至2.42 e ;随着衬底温度进一步升高,薄膜的晶化率降至63.1%,硅量子点尺寸减小至7.3 nm,而光学带
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