【摘 要】
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采用不同密度的银粉,改变触变剂类型及含量,以线路复烤前后的电阻值变化率表征银浆的溶剂挥发速率,研究不同条件对银浆溶剂挥发速率的影响。结果表明,低振实密度粉体、有机膨润土、改性聚脲化合物和气相二氧化硅均能快速提高银浆溶剂挥发速率。由振实密度1.6~1.8 g/cm3的片状银粉、0.25%有机膨润土、0.5%改性聚脲化合物搭配热塑性聚氨酯制备银浆,在150℃×1 min条件下,银浆快速干燥固化,附着力为5B,复烤后电阻变化率<3%。
【机 构】
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贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室
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采用不同密度的银粉,改变触变剂类型及含量,以线路复烤前后的电阻值变化率表征银浆的溶剂挥发速率,研究不同条件对银浆溶剂挥发速率的影响。结果表明,低振实密度粉体、有机膨润土、改性聚脲化合物和气相二氧化硅均能快速提高银浆溶剂挥发速率。由振实密度1.6~1.8 g/cm3的片状银粉、0.25%有机膨润土、0.5%改性聚脲化合物搭配热塑性聚氨酯制备银浆,在150℃×1 min条件下,银浆快速干燥固化,附着力为5B,复烤后电阻变化率<3%。
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