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采用等离子体化学气相沉积法（PECVD）制备了三种不同化学计量比的富Si的SiN薄膜，并对其光致发光及电致发光性能进行了研究。研究发现，随着Si含量的增加，薄膜的光致发光峰位从460nm红移到610nm，且半高宽不断增加；而薄膜的电致发光峰位并没有随着Si含量的改变而变化，始终处于600nm附近，这主要是由于富Si的SiN薄膜的光致发光与电致发光的机理是不同的。光致发光来源于SiN薄膜缺陷态能级之间辐射复合，而电致发光则是由注入的载流子先迟豫到较低的缺陷态能级，然后经过辐射复合而得到。