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元素掺杂是抑制电荷重组和改变TiO2带隙的有效手段。因此提高了其光催化活性。在这里，我们首先报告了N／Si共掺杂单晶金红石TiO2纳米线通过一步水热法诱导的共掺杂制备的，用于改善在FTO电基底上生长的TiO2纳米线的光电化学性能。这项工作报告了，用传统的电化学法研究在1．23V时表现出2．17mA cm-2的光电流，优异的光电化学性能可归因于N和Si共掺杂剂改变TiO2带隙，增强对紫外和可见光区中的入射光子吸收的．并提高了光电转换效率。然后结合原位、实时的UV-vis／SECM技术研究了改善的光电阳极／电