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用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究.结果显示,在超薄范围二氧化硅呈层状生长,不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约3eV,形貌对二氧化硅带宽的影响小于膜厚的影响.
二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
【摘 要】
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用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究.结果显示,在超
【机 构】
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香港中文大学
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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2003年3期
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