掺氮ZnSe外延层的光致发光研究

• 作 者: 朱作明 刘南竹 李国华 韩和相 汪兆平 王善忠 何力 姬荣斌
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院上海技术物理研究所,半导体薄膜材料研究中心,红外物理国家重点实验室,上海,200083
• 出 处: 红外与毫米波学报
• 发表日期: 1999年1期
• 关键词: ZnSe:N 光致发光 束缚激子

报导了掺氮ZnSe外延层的光致发光,研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系.10K下施主-受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动,且峰强呈现饱和趋势.在10～300K温度范围光致发光谱表明,随着温度增加,由于激子在受主束缚激子态和施主束缚激子态之间转移,施主束缚激子发光峰强度相对受主束缚激子发光峰强度增加.