【摘 要】
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射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（RF-LDMOS）缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS
【机 构】
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南京工程学院汽车与轨道交通学院,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（RF-LDMOS）缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS器件宏模型建模及提模方法,并采用MBP软件进行验证分析。结果表明该宏模型建模方法能够很好的实现数据拟合,直流特性和射频特性的误差均在5%范围内,能够准确地反映器件的电学特性。
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