【摘 要】
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利用窄禁带半导体硒化铅的可饱和吸收性质,通过物理气相沉积法和光纤探针转移,优化工艺制备硒化铅可饱和吸收体器件,搭建不同波长的脉冲光纤激光器。在基本器件不变的情况下,利用简单的环形腔,在近红外1~2μm范围内实现了稳定的锁模输出,中心波长分别为1060.46 nm、1563.24 nm、1908.34 nm,基频分别为0.593 MHz、13.59 MHz、10.25 MHz,脉宽分别为30.53 ns、4.26 ns、1 ns。该结果扩展了新型纳米晶材料硒化铅化合物的应用,可为脉冲光纤激光的波长调控提供解
【机 构】
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国防科技大学前沿交叉学科学院,湖南大学物理与微电子科学学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所i-Lab&纳米器件与应用重点实验室&纳米光子材料与器件重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.51772088),中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题(Nos.20SZ01,21YZ03)。
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利用窄禁带半导体硒化铅的可饱和吸收性质,通过物理气相沉积法和光纤探针转移,优化工艺制备硒化铅可饱和吸收体器件,搭建不同波长的脉冲光纤激光器。在基本器件不变的情况下,利用简单的环形腔,在近红外1~2μm范围内实现了稳定的锁模输出,中心波长分别为1060.46 nm、1563.24 nm、1908.34 nm,基频分别为0.593 MHz、13.59 MHz、10.25 MHz,脉宽分别为30.53 ns、4.26 ns、1 ns。该结果扩展了新型纳米晶材料硒化铅化合物的应用,可为脉冲光纤激光的波长调控提供解
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