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提出一种适用于单电源，低电压供电的Flash Memory的负高压电荷泵的实现方法。在分析传统电荷泵工作原理的基础上．结合Flash工作电压和参数要求，提出三阱工艺，无阈值损失的负高压电荷泵电路结构。最后在0．22μmFlash工艺下给出测试结果。
适用于Flash Memory的负高压泵的实现
【摘 要】
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提出一种适用于单电源，低电压供电的Flash Memory的负高压电荷泵的实现方法。在分析传统电荷泵工作原理的基础上．结合Flash工作电压和参数要求，提出三阱工艺，无阈值损失的负高压
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2007年1期
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