硅晶体管精密温度计的线路设计

来源 :宇航计测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wk8954642
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一概述晶体管的P—N结对温度十分敏感。理论分析和实际测量都表明,温度每增加1℃,晶体三极管V_(be)的绝对值约降低2.2mv。晶体管温度计就是根据这一基本原理设计的。但晶体管的V_(be)与温度T的变化是非线性的,直接用来测温误差大。要用晶体管作感温元件制造精密温度计,必须设法解决V_(be)与T的线性化问题。三极管的V_(be)不仅与温度T有关,而且 An overview of transistor P-N junction temperature is very sensitive. Both theoretical analysis and practical measurement show that the absolute value of transistor V be decreases about 2.2mv for every 1 ℃ increase in temperature. Transistor thermometer is based on this basic principle of design. However, the change of the V_ (be) and the temperature T of the transistor is nonlinear, which is directly used to measure the temperature error. It is necessary to try to solve the problem of linearization between V_ (be) and T by using the transistor as the temperature sensor to manufacture the precision thermometer. Transistor V_ (be) not only with the temperature T-related, but also
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