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依据实体模型．采用有限元ANSYS分析软件对1000kV系统用瓷外套MOA建立2-D模型．进行场强和电位分布计算。比较了采用并联均压电容前后MOA内部电阻片与瓷套内侧的电位和场强分布的变化．结果表明：MOA电阻片与瓷套内侧容易发生放电或闪络现象的位置分别为．第一节单元距单元上法兰的1／6～1／5处和第四节单元距单元上法兰的1／6～1／5处；并联均压电容之后．各单元电阻片上的场强和承担的电压趋于均匀化，但某些单元的径向场强和电位差变大．不利于MOA的安全运行。