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阐述了ＣｄＺｎＴｅ衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性；概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体生长的方法、原理和工艺步骤；分析了影响晶体质量（单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性）的因素，并提出了与质量相关的控制技术；介绍了ＣｄＺｎＴｅ衬底制备过程中，晶片处理的工艺和步骤（晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀）；报道了目前ＣｄＺｎＴｅ晶体的性能水平，晶片处理结果和ＣｄＺｎＴｅ的应用情况。