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,Positive Bias Temperature Instability and Hot Carrier Injection of Back Gate Ultra-thin-body In0.53
【机 构】
：
School of Electronic Science and Engineering,Nanjing University,Nanjing 210093“,”Department of Infor
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
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2015年11期
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