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【摘 要】
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选取Si太阳电池与线阵CCD器件,进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究。分析了光电器件电离效应和位移损伤机理,利用二维器件模拟软件MEDICI,模拟了1 MeV电子
【机 构】
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西北核技术研究所,西北核技术研究所,西北核技术研究所,西北核技术研究所,西北核技术研究所,西北核技术研究所,防化研究院第二研究所,防化研究院第二研究所 陕西西安710024防化研究院第二研究所,北京1
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2005年02期
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