【摘 要】
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高阻硅是制备光电探测器的关键材料,这种材料制备难度大,对工艺有很高的要求。为了满足各种探测器件的要求,各国都努力开发不同规格的高阻硅。我们研制的N型高阻高寿硅是为
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高阻硅是制备光电探测器的关键材料,这种材料制备难度大,对工艺有很高的要求。为了满足各种探测器件的要求,各国都努力开发不同规格的高阻硅。我们研制的N型高阻高寿硅是为工程项目用器件配套的半导体材料。 该材料要求纯度高,且电阻率范围窄。要求N型电阻率在3000～4000Ωcm范围内,少子寿命≥150μs,
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