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本文分析了掺Ｇｅ／Ｂ比掺Ｇｅ光纤具有较高紫外光敏性的原因，并通过实验研究了氢载对掺Ｇｅ／Ｇ光纤紫外光敏性的影响。研究结果表明氢载可以提高掺杂Ｇｅ／Ｂ光纤的光敏性，而且它在氢载前后都存在曝光饱和点。
掺Ge／B光纤紫外光敏性研究
【摘 要】
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本文分析了掺Ｇｅ／Ｂ比掺Ｇｅ光纤具有较高紫外光敏性的原因，并通过实验研究了氢载对掺Ｇｅ／Ｇ光纤紫外光敏性的影响。研究结果表明氢载可以提高掺杂Ｇｅ／Ｂ光纤的光敏性，而且它在氢载前后都存在曝光饱和
【机 构】
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长春邮电学院通信工程系
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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信息产业部重点科技发展项目!(970 6 6 )
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