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MoSi2和WSi2相结构和性能的电子理论研究
MoSi2和WSi2相结构和性能的电子理论研究
来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qiaofei888
【摘 要】
:
根据固体与分子经验电子理论,对MoSi2和WSi2相进行价电子结构分析,通过键距差方法,计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数。结果表明:MoSi2和WSi2相是靠键距为
【作 者】
:
周飞
【机 构】
:
江苏理工大学材料科学与工程学院
【出 处】
:
硅酸盐学报
【发表日期】
:
2000年5期
【关键词】
:
二硅化钼
二硅化钨
性能
电子理论研究
相结构
molybdenum silicide
tungsten silicide
valence electron
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根据固体与分子经验电子理论,对MoSi2和WSi2相进行价电子结构分析,通过键距差方法,计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数。结果表明:MoSi2和WSi2相是靠键距为
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