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本文采用数值分析模拟方法对新型类晶闸管结构的半导体涌吸收器件的关键特性进行了理论分析，根据实际工艺条件决定了边界条件和分割点方案并编写了计算程序。计算分析结果表明：在满足正向转折电压要求情况下，尽量减少有效基区宽度是降低通态压降，提高器件过浪涌能力，提高维持电流的关键措施。实验制作两批样品，测试结果证明了这一结论。