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在室温下测量了用ＭＯＶＰＥ方法生长在尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）衬底上的ＧａＮ外延层的一阶喇曼光谱，应用各种背散射和９０°散射配置，测得了降低频Ｅ２模外所有ＧａＮ的喇曼活性光学声子模，并且在Ｘ（Ｚ，Ｘ），Ｚ和Ｘ（Ｘ，Ｙ）Ｚ配置下观测到了由Ａ１和Ｅ２模混合形成的准ＴＯ和准ＬＯ模，所得结果与群论选择定则预计的一致。