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FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是一项采用现有的制造方法和基础设施,通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现平面晶体管结构的技术。FD-SOI技术集成了两大互相协作的创新工艺：一是在底部硅层上部使用超薄的氧化绝缘体。
FD-SOI技术助力中国半导体业快速崛起
【摘 要】
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FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是一项采用现有的制造方法和基础设施,通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现平面晶体管结构的技术。FD-SOI技术集成
【机 构】
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《中国电子商情:基础电子》编辑部
【出 处】
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中国电子商情(基础电子)
【发表日期】
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2016年4期
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