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提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。不同于经典模型，该模型对沟道耗尽层横向剖分，由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程，方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影响。求解方程得到了耗尽层厚度与表面势的关系函数，由此得出了一个包含有沟道长度的阈值电压公式。通过MEDICI软件对多种不同参数的MOS晶体管进行了仿真，此模型计算结果与MEDICI仿真数据吻合较好，比电荷分享模型精度高。