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本文对光注入下ＨｇＣｄＴｅ半导体中等离子振荡频率及其红外反射谱的变化进行了研究，讨论了利用这种变化红外探测灵敏度的一种方案。
光注入HgCdTe半导体红外探测器原理及其数值计算
【摘 要】
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本文对光注入下ＨｇＣｄＴｅ半导体中等离子振荡频率及其红外反射谱的变化进行了研究，讨论了利用这种变化红外探测灵敏度的一种方案。
【机 构】
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华东师范大学物理系
【出 处】
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华东师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1994年4期
【基金项目】
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国家重点实验室的资助
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