高能离子注入硅的无损表征

• 作 者: 俞跃辉 朱南昌 邹世昌 周筑颖 赵国庆
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所,复旦大学物理二系
• 出 处: 电子科学学刊
• 发表日期: 1996年01期
• 关键词: 高能 离子注入 无损表征 硅 High energy Ion implantation Non-destructive characterization

将能量为3MeV,剂量为5×10~(15)cm~(-2)的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟红外反射谱,获得了载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率。