窄禁带半导体光电二极管的最新进展(下)

• 作 者: Antoni Rogalski Manijeh Razeghi 贡树行
• 机 构: 波兰华沙军事技术大学,美国西北大学电子工程和计算机科学系,量子器件中心
• 出 处: 红外
• 发表日期: 2001年01期
• 关键词: 掺杂浓度 光电二极管 隧道效应 乘积的 介电常数ε 隧道电流 探测器 指数 因子 温度 数值 铅盐

隧道电流和R_0A乘积主要取决于掺杂浓度。图5表示77K温度工作、一面突变的HgCdTe、PbSnTe、PbSnSe光电二极管(Eg=0.1 eV)的R_0A乘积与掺杂浓度的关系。对于HgCdTe和铅盐探测器来说,要想产生高数值的

The tunneling current and R_0A product are mainly dependent on the doping concentration. Figure 5 shows the R_0A product of the abrupt HgCdTe, PbSnTe, PbSnSe photodiodes (Eg = 0.1 eV) versus dopant concentration for a 77K operation. For HgCdTe and lead salt detectors, to produce high values