【摘 要】
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采用化学溶液分解法分别制备了锆钛酸铅镧(PLZT)(x/65/35,Pb1-xLax(Zr0.65Ti0.35)O3)单组分薄膜和PLZT梯度薄膜,研究了镧掺杂对PLZT组分薄膜铁电性能的影响.结果 表明:PLZT单
【机 构】
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山西省机电设计研究院,太原030009
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采用化学溶液分解法分别制备了锆钛酸铅镧(PLZT)(x/65/35,Pb1-xLax(Zr0.65Ti0.35)O3)单组分薄膜和PLZT梯度薄膜,研究了镧掺杂对PLZT组分薄膜铁电性能的影响.结果 表明:PLZT单组分和梯度薄膜具有良好的钙钛矿结构,PLZT-123梯度薄膜比PLZT(2/65/35)单组分薄膜在(111)面具有更好的结晶性能.薄膜结构致密无裂缝,与基片表面紧密结合,界面清晰,且表面平整,薄膜厚度均匀,约为400nm.薄膜的最佳掺镧浓度为2％,PLZT(2/65/35)和PLZT-123薄膜表现出了良好的铁电性能,它们的剩余极化强度为36.65μC/cm2和40.47μC/cm2.实验表明掺镧浓度对薄膜性能有着重要的影响,当掺镧浓度较低时,PLZT单组分和梯度薄膜具有良好的铁电性能,而且平均掺镧浓度相同的梯度薄膜比单组分薄膜具有更加优异的铁电性能.
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