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日本工业技术院电子技术综台研究所研究了一种使用氟硅烷(SiH3F)气体的非晶硅高速制膜法。其制膜速度为目前硅烧(SiH4)气体的两倍以上，安全性也很高。氟硅烷气体活化能较低。为此，在低电力密度范围内由于产生许多游离基，所以，适合于高速制膜，
非晶硅高速制膜法
【摘 要】
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日本工业技术院电子技术综台研究所研究了一种使用氟硅烷(SiH3F)气体的非晶硅高速制膜法。其制膜速度为目前硅烧(SiH4)气体的两倍以上，安全性也很高。氟硅烷气体活化能较低。
【机 构】
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不详,化工部西南化工研究院
【出 处】
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低温与特气
【发表日期】
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1986年3期
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