等离子体增强化学气相沉积Ti—Si—N膜

• 作 者: 石玉龙 彭红瑞
• 出 处: 青岛化工学院学报：自然科学版
• 发表日期: 1995年1期
• 关键词: 等离子体 化学气相沉积 氮化钛 氮化硅钛 硬膜 plasma CVD titanmium nitide titanium-silicon nitridehard

报导了用等离子体增强化学气相沉积法于５６０℃在高速钢基材上沉积Ｔｉ－Ｓｉ－Ｎ膜。反应气为ＴｉＣｌ４，ＳｉＣｌ４，Ｎ２和Ｈ２。实验结果表明：调整两种氯化物在进气中的比例可以很好地控制膜的成分。膜中Ｓｉ含量变化范围为０到４０％（原子）。在ＴｉＮ膜中加入少量Ｓｉ就可以显著改善膜的形貌，得到致密的类似玻璃的结构。同样，膜和基材之问的界面显得更加平滑和均匀。含Ｓｉ量１０％～２５％（原子）的Ｔｉ－Ｓｉ－Ｎ膜具有最高的硬度，约达到６３５０ｋｇｆ／ｍｍ２，比ＴｉＮ膜高得多。