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用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无关；在２×１０１５─１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的中等剂量区域内，在几乎无损伤的表面区域以下形成损伤埋层，晶格损伤积累随注入剂量的增加而迅速增加；在高于１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量区域内，晶格损伤积累随注入剂量的增加而缓慢增加．从级联碰