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ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料，相对于传统的宽禁带材料有很多的优势。在相对成本低廉的岛衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题。目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破。本文利用直流溅射，先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜，通过对直流溅射时间的控制，可以得到不同厚度的ZnO缓冲层。再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜。通过研究发现，直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响。随着缓冲层的引入，双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降，并且随着最终ZnO薄膜质量上升，光致发光也有显著