【摘 要】
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1.引言Ge是间接跃迁型半导体。如图1所示,在吸收端附近,存在着直接跃迁型半导体所没有的缓慢拖尾现象。另一方面,在吸收端附近,迄今所报导锗的吸收系数是不尽一致的。例如,
【机 构】
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1.引言Ge是间接跃迁型半导体。如图1所示,在吸收端附近,存在着直接跃迁型半导体所没有的缓慢拖尾现象。另一方面,在吸收端附近,迄今所报导锗的吸收系数是不尽一致的。例如,在λ～1.55μm波长下,吸收系数为2×10~2-6×10~2cm~(-1)。根据这个理由,在吸收端附近,Ge的有实用价值的波长敏感区直到现在尚不能确定。
1. Introduction Ge is an indirect transition semiconductor. As shown in Fig. 1, near the absorption end, there is a slow tailing phenomenon that the direct transition type semiconductor does not have. On the other hand, the absorption coefficient of germanium reported to date is not uniform near the absorption end. For example, the absorption coefficient is 2 × 10 -2 to 6 × 10 -2 cm -1 at a wavelength of λ to 1.55 μm. For this reason, the wavelength-sensitive region of Ge that has practical value near the absorption end is not yet known.
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