【摘 要】
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1984年在日本神户举行的第五届固体元件与材料会议上,报道了光分子层外延生长GaAs单晶新方法的细节,它预示着下一代超高速电子计算机所需的砷化镓半导体进入实施水平。东北
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1984年在日本神户举行的第五届固体元件与材料会议上,报道了光分子层外延生长GaAs单晶新方法的细节,它预示着下一代超高速电子计算机所需的砷化镓半导体进入实施水平。东北大学的研究小组研制过程的关键是:分子水平的结晶厚度控制;晶体生长温度仅稍高于传统
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