【摘 要】
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对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究。给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流一电压（I-V）特性曲线，并对试验现象
【机 构】
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上海交通大学微电子学院,上海航天技术基础研究所
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对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究。给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流一电压（I-V）特性曲线，并对试验现象进行了数值模拟分析。研究结果表明：NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的；截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置；与梳形栅和蛇形栅相比，环形栅结构未出现寄生漏电；NMOS晶体管沟道长度越小，寄生漏电就越严重。
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