【摘 要】
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本文介绍了为优化0．5μm器件而对用于常规铝的TiN阻挡层形成和热平坦化铝所做的研究结果。采用金属退火集群组合设备原位形成TiN阻挡层。讨论了铝平坦化工艺。介绍了漏电流和
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本文介绍了为优化0．5μm器件而对用于常规铝的TiN阻挡层形成和热平坦化铝所做的研究结果。采用金属退火集群组合设备原位形成TiN阻挡层。讨论了铝平坦化工艺。介绍了漏电流和电迁移研究中取得的电特性结果。
This article describes the results of research done on the formation and thermal flattening of TiN barrier layers for conventional aluminum to optimize 0.5μm devices. A TiN barrier layer is formed in situ using a metal annealing cluster combination device. The aluminum flattening process is discussed. The results of the electrical properties obtained in the studies of leakage current and electromigration are introduced.
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