【摘 要】
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本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性
【机 构】
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陕西微电子学研究所,陕西微电子学研究所,陕西微电子学研究所,陕西微电子学研究所,陕西微电子学研究所 临潼中国船舶工业总公司第七一六研究所,临潼,临潼,临潼,临潼
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本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性、过腐蚀度、负载效应等与刻蚀条件(包括气体、气体组分、流量、压力、射频功率、温度等)的关系.在此基础上,结合LDD MOSFET对侧壁宽度、可控性及重复性的要求,对反应离子刻蚀法实现PSSWS-LDD进行优化,获得了优化工艺条件.
In this paper, LDD MOSFETs were fabricated by using Poly-Silicon Side-Wall Spacer (PSSWS). The effects of reactive ion etching (RIE) on polysilicon rate, anisotropy, selectivity to SiO2, As well as the relationship between etching uniformity, overcorrosion, load effect and etching conditions (including gas, gas composition, flow rate, pressure, RF power, temperature, etc.) Width, controllability and repeatability, the PSSWS-LDD was optimized by reactive ion etching, and the optimal process conditions were obtained.
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