纳秒级脉宽砷化镓激光器阵列

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报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约0.7~5ns,近场光斑面积约100mm×6mm;已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法,用该方法使激光脉冲等效重复率达约100MHz;介绍一种使激光器阵列输出光斑中光能均匀分布的多光束叠加方案。 Report on experimental results of gallium arsenide laser arrays. The pulse width of the array of light beams is about 0.7 to 5 ns and the near-field spot area is about 100 mm × 6 mm; it has been used to trigger a semiconductor photoconductive switch array in a high-power electromagnetic pulse generator. A method of increasing the repetition rate of optical pulses - double pulse sequence method is introduced. The equivalent pulse repetition rate of the laser pulse is about 100MHz. A multi - beam superposition scheme is proposed in which the light energy in the output laser beam is uniformly distributed.
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