【摘 要】
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针对抗辐射微处理器的容错需求,特别是在高速缓存中由单粒子效应造成的多位翻转故障,设计了一种高速缓存纠检错方案,以LEON2处理器为研究平台,分别对指令Cache和数据Cache的
【机 构】
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首都师范大学信息工程学院,唐山现代工控技术有限公司,北京成像技术高精尖创新中心,电子系统可靠性技术北京市重点实验室
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针对抗辐射微处理器的容错需求,特别是在高速缓存中由单粒子效应造成的多位翻转故障,设计了一种高速缓存纠检错方案,以LEON2处理器为研究平台,分别对指令Cache和数据Cache的标记存储器和数据存储器设计并行的BCH编码器和译码器,实现多达4位错误的检测.针对检测到的多位错误,利用存储层次特征,实现对故障的有效规避.以LEON2处理器为研究平台的仿真结果证明,该方案能够有效应对高速缓存中单粒子效应所引发的多位错误,并且方案的资源开销和性能开销都比较小,为未来纳米级微处理器的容错设计提供了支撑.
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