The anomalous Hall effect in epitaxial Fe（110） films grown on GaAs（110）

• 作 者: Jianli Xu Lin Wu Yufan Li Dai
• 机 构: StateKeyLaboratoryofSurfacePhysicsandDepartmentofPhysics
• 出 处: 中国科学通报：英文版
• 发表日期: 2015年14期
• 关键词: 反常霍尔效应 砷化镓 薄膜 铁 BERRY 各向异性 膜厚度 FE Anomalous Hall effect - Fe Skewscattering S
• 基金项目: Acknowledgments This work was supported by the National Basic Research Program of China （2015CB921400 and 2011CB921802） and the National Natural Science Foundation of China （11374057, 11434003 and 114

在在 GaAs (110 ) 上种的取向附生的 Fe (110 ) 电影的异常霍尔效果作为电影厚度和温度的功能被调查。996 \\ 的果浆导致弯曲的内在的贡献(mega ^{-1}\\hbox { 厘米 }^{-1}\\) 第一次试验性地被决定。和 821 \\( Fe ( 111 )和 1100 \\mega ^{ -1}\\hbox {厘米}^{在的-1}\\)( Fe ( 001 )mega ^{ -1}\\hbox {厘米}^{在的-1}\\)更早获得了，我们明白地在单个水晶的 Fe 显示出对