纳米晶化对CoNbZr薄膜结构及阻抗的影响

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lhongbo

【摘要】

：

采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能.CoNbZr软磁薄膜晶粒细

【作者】

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蒋向东张怀武文歧业张万里唐晓莉

【机构】

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电子科技大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

纳米晶化 CoNbZr薄膜结构阻抗直流磁控溅射软磁性能软磁膜 thin film soft magnetic thin film nanocrysta

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)

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采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能.CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能.

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