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推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比，阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性。从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上，选择适合制备808nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料。给出了镀制腔面膜过程中会出现的种种关键问题的解决方法，针对各种具体应用提出几种前腔面设计方案。得到后腔面电场强度优化设计的膜系。