【摘 要】
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杂质电离现象是“半导体物理学”课程的重要知识点和难点之一.本文通过对杂质电离的深入分析,推导出杂质电离程度η、温度T、掺杂浓度ND及施主杂质电离能ΔED等4个重要物理量
【基金项目】
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国家自然科学基金青年基金项目(51607026);中央高校基本科研业务费(ZYGX2016J048)资助
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杂质电离现象是“半导体物理学”课程的重要知识点和难点之一.本文通过对杂质电离的深入分析,推导出杂质电离程度η、温度T、掺杂浓度ND及施主杂质电离能ΔED等4个重要物理量之间的关系.进一步深入讨论杂质完全电离的最大掺杂浓度上限、电离比例与杂质电离能的关系,同时引入Lambert W函数简化对温度的求解.最后研究4H-SiC中杂质不完全电离的问题.本文的分析方法不仅可加强学生对杂质电离的系统理解,而且可培养学生的分析和创新能力,有助于将来研究和设计半导体器件.
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