论文部分内容阅读
硒镓银（ＡｇＧａＳｅ２）晶体是一种ⅠⅢⅥ２族三元化合物半导体，黄铜矿结构，４－２ｍ点群。它是一种性能优异的中远红外非线性光学材料，可透过０．７３～２１μｍ的红外光，非线性系数大（ｄ３６＝４３×１０－１２ｍ／Ｖ），具有适宜的双折射，对３～１８μｍ范围的二次谐波能实现相位匹配，还可进行三波混频和光参量振荡。用硒镓银晶体制作的倍频、混频和光参量振荡器件，能在３～１８μｍ红外范围内提供多种频率的光源，而且在相当宽范围内连续可调，这在激光和军事技术方面有广泛用途。本文简要介绍硒镓银晶体定向切割及倍频器件加工工艺。实验所用晶体为本实验室采用改进Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长出的ＡｇＧａＳｅ２晶体。在晶锭表面有一些取向一致的半开放性小孔，它们是由于ＡｇＧａＳｅ２晶体生长习性所导致的。用激光正反射法研究表明，这些小孔内部大都存在四个方向的显露面，用Ｘ射线衍射分析可进一步确定这些显露面属于｛１０１｝、｛１１２｝单形晶面族。硒镓银晶体光轴沿［００１］方向，即晶体ｃ轴方向。对于１０．６μｍＣＯ２基频光的第Ⅰ类相位匹配角θｍ为５７．５℃，此角即为以光轴为轴，基频光波矢为母线的正圆锥半顶角。因ＡｇＧａＳｅ２晶体［１０１］方向与ｃ轴夹角为６１?