【摘 要】
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利用真空蒸镀技术共蒸发Cu,Zn,Sn金属丝在玻璃衬底上制备前驱体Cu-Z-Sn(CZT),并采用高温硫化金属前驱体的方法制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜.本文采用X射线衍射和扫描电子显微镜
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院 广州 510006华南师范大学物理与电信工程学院 广州 510006;华南师范大学实验中心 广州 510006;
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利用真空蒸镀技术共蒸发Cu,Zn,Sn金属丝在玻璃衬底上制备前驱体Cu-Z-Sn(CZT),并采用高温硫化金属前驱体的方法制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜.本文采用X射线衍射和扫描电子显微镜对薄膜进行表征,探究前驱体的蒸镀条件以及硫化温度对薄膜生长情况的影响,结果表明:溅射Mo作为缓冲层有利于Zn原子的沉积;硫化温度为500℃时,薄膜的结晶度较好,能够生成单一的CZTS薄膜;气压越低越有利于形成优质薄膜;衬底温度升高为220℃时,薄膜的结晶度有所提高,有利于抑制杂质的生成;等离子体的辅助可以提高薄膜的结晶质量.
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