【摘 要】
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二氯二氢硅(Sicl_2H_2)是一种新型的外延沉积源,比Sicl_4外延沉积温度低,外延层质量高,是目前国内半导体器件科研和生产单位急需的一种气态源,它还可以用于制备高均匀度的氧
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二氯二氢硅(Sicl_2H_2)是一种新型的外延沉积源,比Sicl_4外延沉积温度低,外延层质量高,是目前国内半导体器件科研和生产单位急需的一种气态源,它还可以用于制备高均匀度的氧化层,廉价太阳能电池和用于生产Si_3N_4薄膜的气态源,具
Dichlorosilane (Sicl_2H_2) is a new type of epitaxial deposition source, which has a much lower epitaxial deposition temperature and higher epitaxial layer than Sicl_4, which is a much needed gaseous source for the research and production of semiconductor devices in China. It can also be used in Preparation of a highly uniform oxide layer, a cheap solar cell and a gaseous source for the production of a Si_3N_4 thin film
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