sol-gel法制备GaN纳米棒的研究

• 作 者: 吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 张晓凯 艾玉杰 孙莉莉 王福学
• 机 构: 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 2005年11期
• 关键词: 半导体技术 GaN纳米棒 sol-gel法 光致发光

采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒.XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构.用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm～1.8 μm,最长的纳米棒达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的355.6 nm处的紫外发光峰和445.9 nm处的蓝色发光峰.