二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质

来源 :科学通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:laoyang2009123456
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设计与合成了2,3-二辛基酞菁氧钒(2,3-C8OVPc),2,16(17)-二辛基酞菁氧钒(dp-C8OVPc),1,15-二辛基酞菁氧钒(1,15-C8OVPc)和1,18-二辛基酞菁氧钒(1,18-C8OVPc)4种可溶性酞菁氧钒衍生物,研究了辛基位置对该类化合物的物理化学性质、固态薄膜形貌和有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能的影响.在溶液状态下,辛基的位置对共轭分子的吸收光谱和前线轨道能级影响很小,它们的最大吸收峰均在700 nm左右,最高被占分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)能级分别约为-5.20和-3.80 eV.在薄膜状态下,吸收光谱显著红移,且红移幅度与辛基的位置有关.4个化合物在薄膜中均以edge-on的方式排列,由它们制备的底栅-顶接触型OTFT器件的迁移率均大于0.1 cm~2/(Vs),其中2,3-C8OVPc的迁移率最高,达到0.19 cm~2/(Vs). (2,3-C8OVPc), 2,16 (17) -dioctylphthalocyanine vanadyl (dp-C8OVPc), 1,15-dioctyl Vanadyl phthalocyanine (1,15-C8OVPc) and vanadyl 1,18-dioctylphthalocyanine (1,18-C8OVPc) were synthesized. The effects of octyl position on the solubility of these compounds Physical and chemical properties, the morphology of the solid film and the performance of the organic thin film transistor (OTFT) device.In the solution state, the position of the octyl group has little influence on the absorption spectrum and the frontier orbital energy level of the conjugated molecules, and their maximum absorption peak (HOMO) and lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) were about -5.20 and -3.80 eV, respectively.While in the film state, the absorption spectra were markedly red-shifted, and the redshift amplitude Which is related to the position of octyl.All of the four compounds are edge-on in the film, and the mobility of the bottom gate-top contact OTFT devices prepared by them all is more than 0.1 cm ~ 2 / (Vs), of which 2 The highest mobility of 3-C8OVPc reached 0.19 cm 2 / (Vs).
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