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用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜，研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明，在低频下（１００ＫＨＺ）制备的氮化硅薄膜密度较大，具有８×１０＾９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率；而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积烨硅薄膜密度较小，具体约２×１０＾９Ｐａ的张应力，刻蚀速率较大，红外光谱表明，薄膜性质同薄膜中的氢原子成键情况腾。实验中利用高、低频交替沉积的方法，成功地制备了低应力（１０＾７Ｐａ）