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为了评估宇航用VDMOS的电参数及抗辐射性能,本文提出一个新的宇航用VDMOS参数测量系统。在虚拟仪器架构上开发自动测量程序及设计测量夹具,引入高DC偏置电容测量与多路复用开关技术,构建出一套多模式全自动切换、高精度、快速参数测量系统。使用本系统对自主研发的一款应用于宇航电子继电器的高压大功率VDMOS开关管芯片的电参数和抗辐射性能进行实测分析。分析了芯片的传输特性、阈值电压、寄生电容等特征参数在总剂量辐照前后偏差。讨论了管芯栅氧厚度与总剂量辐照参数偏移量的关系,以及抗单粒子辐照极限工作电压值。测试