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提出了开发n型金属氧化物气敏材料的理论,指出了禁带宽度Eg】2 eV的材料都有可能研制薄膜气敏元件,通过Fe2O3/2%CeO2,TiO2/2%CeO2薄膜元件试制成功,论证了理论的正确性;发展了复合材料的开发理论,对ZnSnO3的气敏特性进行了测试。
金属氧化物气敏新材料的开发
【摘 要】
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提出了开发n型金属氧化物气敏材料的理论,指出了禁带宽度Eg】2 eV的材料都有可能研制薄膜气敏元件,通过Fe2O3/2%CeO2,TiO2/2%CeO2薄膜元件试制成功,论证了理论的正确性;发展
【机 构】
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济南铁道职业技术学院,济南半导体研究所
【出 处】
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计测技术
【发表日期】
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2010年S1期
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