【摘 要】
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用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶
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用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性．ψ＝０、π面上的等温线分布可作为确定切片倾角的依据
The temperature distribution near the S-L interface of the eccentric Bridgman-Hg1-xCdxTe crystal growth system was studied by three-dimensional numerical simulation. The influence of the degree of eccentricity, the relative size of the ampoule and the furnace diameter, and the temperature distribution in the furnace on the inclined S-L interface was investigated. The results show that the eccentric temperature field can improve the uniformity of the lateral components in a larger area on the wafer. ψ = 0, the isotherm distribution on the π plane can be used as the basis for determining slice inclination
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